Организация «Самсунг» рассказала о достижении существенного прогресса в ходе подготовки технологии памяти RRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память невольного доступа).

Техники организации сумели существенно улучшить надежность работы памяти RRAM. Например, подчеркивается, что образец памяти RRAM способен перекидываться между циклами записи и снятия данных до триллиона раз. По этому уровню память RRAM в млн раз опередила возможности существующей обычной флэш-памяти. Система памяти RRAM, проектируемая организацией «Самсунг», предполагает применение конструкции на базе тантала, а не кремния, как в классических разработках производства памяти. Кроме существенного повышения надежности работы, свежие чипсеты памяти RRAM отвечают и главным условиям, предъявляемым к флэш-памяти. Они обеспечивают большую насыщенность записи информации, большую скорость перемены положения ячей и малый уровень энергопотребления.

Информация о сроках начала платной работы памяти RRAM пока не докладывается.

Ресурс: ITC.ua